PGO TECH fournit une variété de plaquettes de type N avec dopant phosphore/antimoine/arsenic, dans des diamètres allant de 25 mm à 300 mm. PGO TECH peut fournir des plaquettes de silicium standard et personnalisées pour répondre à vos besoins.
PGO TECH a une grande quantité de plaquettes de type N en stock dans N,orientations. Vous trouverez ci-dessous un échantillon de certaines des plaquettes de silicium que nous avons actuellement en stock.
Plaquettes de silicium de type N qui ont été chimiquement combinées (dopées) avec du phosphore, de l'antimoine et de l'arsenic pour les rendre conductrices. Un atome de silicium a quatre électrons dans sa coque externe et se lie étroitement avec quatre atomes de silicium environnants créant une matrice cristalline avec huit électrons dans les coques externes. Cependant, le phosphore a cinq électrons, et lorsqu'il est combiné, le cinquième électron devient un"GG libre quot; électron qui se déplace facilement à l'intérieur du cristal lorsqu'une tension est appliquée. Parce que les porteurs de charge sont des électrons, le type n fait référence à une charge négative.
Spécifications de la plaquette de type N de l'échantillon PGO TECH :
DIAMÈTRE |
TAPER |
DOPANT |
ORIENTATION |
RESISTIVITE (Ohm-cm) |
ÉPAISSEUR (euh) |
ARRIÈRE |
APPARTEMENTS |
50,8 MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 160um-3000um |
gravé/poli |
Plat |
100MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 160um-3000um |
gravé/poli |
Plat/Jeida/Encoche |
125MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 160um-3000um |
gravé/poli |
Plat/Jeida/Encoche |
150MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 160um-3000um |
gravé/poli |
Plat/Jeida/Encoche |
200MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 625um-1150um |
gravé/poli |
Plat/Encoche |
300MM |
N |
ARSENIC/PHOSPHORE/ANTIMOINE |
GG lt;100>/ 111> |
0.0011-60 |
De 725um-800um |
Poli/Poli |
Entailler |
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